PMDPB760ENX
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| Teilenummer | PMDPB760ENX |
| PNEDA Teilenummer | PMDPB760ENX |
| Beschreibung | MOSFET AXIAL |
| Hersteller | WeEn Semiconductors |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.092 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 1 - Mai 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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PMDPB760ENX Ressourcen
| Marke | WeEn Semiconductors |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PMDPB760ENX |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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PMDPB760ENX Technische Daten
| Hersteller | WeEn Semiconductors |
| Serie | * |
| FET-Typ | - |
| FET-Funktion | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 150mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 100pF @ 10V Leistung - max 446mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SOT-563F |
