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IRFI4212H-117P

IRFI4212H-117P

Nur als Referenz

Teilenummer IRFI4212H-117P
PNEDA Teilenummer IRFI4212H-117P
Beschreibung MOSFET 2N-CH 100V 11A TO-220FP-5
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.496
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IRFI4212H-117P Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRFI4212H-117P
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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IRFI4212H-117P Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs72.5mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds490pF @ 50V
Leistung - max18W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-5 Full Pack
LieferantengerätepaketTO-220-5 Full-Pak

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Hersteller

Infineon Technologies

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SIPMOS®

FET-Typ

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

246pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

85V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

103A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.2mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

114nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

17-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

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SI4567DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A, 4.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

355pF @ 20V

Leistung - max

2.75W, 2.95W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

AO6800L

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.4A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

235pF @ 15V

Leistung - max

1.15W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

DMP3056LSDQ-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.9A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.7nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

722pF @ 25V

Leistung - max

2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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