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UPA2352T1P-E4-A

UPA2352T1P-E4-A

Nur als Referenz

Teilenummer UPA2352T1P-E4-A
PNEDA Teilenummer UPA2352T1P-E4-A
Beschreibung MOSFET N-CH DUAL LGA
Hersteller Renesas Electronics America
Stückpreis
1 ---------- $4,8320
250 ---------- $4,6055
500 ---------- $4,3790
1.000 ---------- $4,1525
2.500 ---------- $3,9638
5.000 ---------- $3,7750
Auf Lager 22.000
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

UPA2352T1P-E4-A Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerUPA2352T1P-E4-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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UPA2352T1P-E4-A Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-FunktionLogic Level Gate, 2.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)24V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs43mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.7nC @ 4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds330pF @ 10V
Leistung - max750mW (Ta)
Betriebstemperatur150°C
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall4-XFLGA
Lieferantengerätepaket4-EFLIP-LGA (1.4x1.4)

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1250pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170mOhm @ 1.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

441pF @ 10V

Leistung - max

700mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SuperSOT™-6

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

72.5mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

490pF @ 50V

Leistung - max

18W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-5 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220-5 Full-Pak

FD6M016N03

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

295nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11535pF @ 15V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

EPM15

Lieferantengerätepaket

EPM15

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

FET-Typ

6 N and 6 P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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