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IRFI4024H-117P

IRFI4024H-117P

Nur als Referenz

Teilenummer IRFI4024H-117P
PNEDA Teilenummer IRFI4024H-117P
Beschreibung MOSFET 2N-CH 55V 11A TO-220FP-5
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.286
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IRFI4024H-117P Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRFI4024H-117P
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
IRFI4024H-117P, IRFI4024H-117P Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 254,54 KB)
PDFIRFI4024H-117P Datenblatt Cover
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IRFI4024H-117P Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 7.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds320pF @ 50V
Leistung - max14W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-5 Full Pack
LieferantengerätepaketTO-220-5 Full-Pak

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A, 4.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

590pF @ 15V

Leistung - max

1.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Serie

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FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.9A, 3.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

165pF @ 10V

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V

Leistung - max

3W

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 5.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 44µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1650pF @ 15V

Leistung - max

1.6W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.2W

Betriebstemperatur

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