NVMFD5489NLT1G
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| Teilenummer | NVMFD5489NLT1G |
| PNEDA Teilenummer | NVMFD5489NLT1G |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.784 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 3 - Jan 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NVMFD5489NLT1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NVMFD5489NLT1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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NVMFD5489NLT1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.4nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 25V |
| Leistung - max | 3W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 730pF @ 15V Leistung - max 900mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 15A (Tc), 9.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V, 15nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 25V, 600pF @ 25V Leistung - max 27W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® SO-8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual |
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Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2250pF @ 10V Leistung - max 900mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
