Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 772/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
FDMD8260L ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 6-MLP Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5245pF @ 30V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 12-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: 12-Power3.3x5	Auf Lager7.290
FDMD8260LET60 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 15A Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5245pF @ 30V Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 12-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: 12-Power3.3x5	Auf Lager6.912
FDMD8280 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3050pF @ 40V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 12-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: 12-Power3.3x5	Auf Lager2.646
FDMD84100 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 100V 7A 8-PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Source FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 980pF @ 50V Leistung - max: 2.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: Power 3.3x5	Auf Lager26.442
FDMD8430 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays FET ENGR DEV-NOT REL Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Source FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 28A (Ta), 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.12mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5035pF @ 15V Leistung - max: 2.1W (Ta), 29W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (3.3x5)	Auf Lager4.014
FDMD8440L ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays FET ENGR DEV-NOT REL Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 21A (Ta), 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4150pF @ 20V Leistung - max: 2.1W (Ta), 33W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: Power 3.3x5	Auf Lager7.920
FDMD85100 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 100V Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 10.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2230pF @ 50V Leistung - max: 2.2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: 8-Power 5x6	Auf Lager6.066
FDMD8530 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 35A Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 35A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10395pF @ 15V Leistung - max: 2.2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: Power56	Auf Lager24.390
FDMD8540L ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 40V 33A POWER Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 33A, 156A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7940pF @ 20V Leistung - max: 2.3W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: 8-Power 5x6	Auf Lager3.996
FDMD8560L ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A, 93A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11130pF @ 30V Leistung - max: 2.2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: 8-Power 5x6	Auf Lager6.678
FDMD8580 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 80V 16A POWER 5X6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Ta), 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5875pF @ 40V Leistung - max: 2.3W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: Power56	Auf Lager3.400
FDMD86100 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 100V Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Source FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 50V Leistung - max: 2.2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: 8-Power 5x6	Auf Lager2.466
FDMD8630 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 38A POWER5X6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 38A (Ta), 167A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9930pF @ 15V Leistung - max: 2.3W (Ta), 43W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: 8-Power 5x6	Auf Lager2.736
FDMD8680 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5330pF @ 40V Leistung - max: 39W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: 8-Power 5x6	Auf Lager7.884
FDMD8900 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V POWER Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 19A, 17A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2605pF @ 15V Leistung - max: 2.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 12-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: 12-Power3.3x5	Auf Lager3.798
FDME1023PZT ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6-MICROFET Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 2.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 10V Leistung - max: 600mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 6-MicroFET (1.6x1.6)	Auf Lager36.402
FDME1024NZT ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6-MICROFET Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V Leistung - max: 600mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 6-MicroFET (1.6x1.6)	Auf Lager775
FDME1034CZT ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.8A, 2.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V Leistung - max: 600mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 6-MicroFET (1.6x1.6)	Auf Lager104.928
FDMJ1023PZ ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 2.9A SC75 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 10V Leistung - max: 700mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-WFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: SC-75, MicroFET	Auf Lager7.704
FDMJ1028N ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 3.2A 6-MICROFET Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 10V Leistung - max: 800mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-WFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 6-MicroFET (2x2)	Auf Lager6.012
FDMJ1032C ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.5A SC75 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.2A, 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V Leistung - max: 800mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-WFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: SC-75, MicroFET	Auf Lager8.172
FDML7610S ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A 8-MLP Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A, 17A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 15V Leistung - max: 800mW, 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: 8-MLP (3x4.5)	Auf Lager4.014
FDMQ8203 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP Hersteller: ON Semiconductor Serie: GreenBridge™ PowerTrench® FET-Typ: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.4A, 2.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V Leistung - max: 2.5W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 12-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 12-MLP (5x4.5)	Auf Lager26.676
FDMQ8403 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12-MLP Hersteller: ON Semiconductor Serie: GreenBridge™ PowerTrench® FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 215pF @ 15V Leistung - max: 1.9W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 12-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 12-MLP (5x4.5)	Auf Lager2.232
FDMQ86530L ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 60V 8A MLP4.5X5 Hersteller: ON Semiconductor Serie: GreenBridge™ PowerTrench® FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2295pF @ 30V Leistung - max: 1.9W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 12-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 12-MLP (5x4.5)	Auf Lager21.660
FDMS001N025DSD ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays FET 25V Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.034
FDMS1D2N03DSD ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays PT11N 30/12 & PT11N 30/12 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 19A (Ta), 70A (Tc), 37A (Ta), 164A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 19A, 10V, 0.97mOhm @ 37A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V, 117nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1410pF @ 15V, 4860pF @ 15V Leistung - max: 2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6)	Auf Lager3.546
FDMS3600AS ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8-PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A, 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1770pF @ 13V Leistung - max: 2.2W, 2.5W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: Power56	Auf Lager8.172
FDMS3600S ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8-PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A, 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 13V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: Power56	Auf Lager5.868
FDMS3602AS ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A, 26A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1770pF @ 13V Leistung - max: 2.2W, 2.5W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: Power56	Auf Lager6.426

«
‹
1
...
769
770
771
772 (current)
773
774
775
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message