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FDME1034CZT

FDME1034CZT

Nur als Referenz

Teilenummer FDME1034CZT
PNEDA Teilenummer FDME1034CZT
Beschreibung MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET
Hersteller ON Semiconductor
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FDME1034CZT Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDME1034CZT
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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FDME1034CZT Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3.8A, 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs66mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds300pF @ 10V
Leistung - max600mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-UFDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket6-MicroFET (1.6x1.6)

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

25V, 30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

400mA, 3.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.7nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

26.2pF @ 10V

Leistung - max

1.2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.8A, 8.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21.8mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.25V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

DMC6070LFDH-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.1A, 2.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

731pF @ 20V

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-WDFN

Lieferantengerätepaket

V-DFN3030-8

SMA5131

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

FET-Typ

3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1063pF @ 30V

Leistung - max

1.8W

Betriebstemperatur

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