Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FDMD85100

FDMD85100

Nur als Referenz

Teilenummer FDMD85100
PNEDA Teilenummer FDMD85100
Beschreibung MOSFET 2N-CH 100V
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.066
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FDMD85100 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDMD85100
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FDMD85100, FDMD85100 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 779,18 KB)
PDFFDMD85100 Datenblatt Cover
FDMD85100 Datenblatt Seite 2 FDMD85100 Datenblatt Seite 3 FDMD85100 Datenblatt Seite 4 FDMD85100 Datenblatt Seite 5 FDMD85100 Datenblatt Seite 6 FDMD85100 Datenblatt Seite 7 FDMD85100 Datenblatt Seite 8 FDMD85100 Datenblatt Seite 9 FDMD85100 Datenblatt Seite 10 FDMD85100 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FDMD85100 Datasheet
  • where to find FDMD85100
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FDMD85100
  • FDMD85100 PDF Datasheet
  • FDMD85100 Stock

  • FDMD85100 Pinout
  • Datasheet FDMD85100
  • FDMD85100 Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FDMD85100 Price
  • FDMD85100 Distributor

FDMD85100 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-Typ2 N-Channel (Half Bridge)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.10.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.9mOhm @ 10.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2230pF @ 50V
Leistung - max2.2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerWDFN
Lieferantengerätepaket8-Power 5x6

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SI4904DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

85nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2390pF @ 20V

Leistung - max

3.25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

SI7980DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1010pF @ 10V

Leistung - max

19.8W, 21.9W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

APTC60HM70T3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

4 N-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

39A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 39A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 2.7mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

259nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7000pF @ 25V

Leistung - max

250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

DMG6602SVT-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.4A, 2.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 15V

Leistung - max

840mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

TSOT-23-6

SI4563DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

85nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2390pF @ 20V

Leistung - max

3.25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

Kürzlich verkauft

0217002.MXP

0217002.MXP

Littelfuse

FUSE GLASS 2A 250VAC 5X20MM

MIC5235-3.3YM5-TR

MIC5235-3.3YM5-TR

Microchip Technology

IC REG LINEAR 3.3V 150MA SOT23-5

LT8640EUDC#TRPBF

LT8640EUDC#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG BUCK ADJUSTABLE 5A 20QFN

EA DOGS102B-6

EA DOGS102B-6

Display Visions

LCD MOD GRAPH 102X64 BLUE

MIC47100YMME

MIC47100YMME

Microchip Technology

IC REG LINEAR POS ADJ 1A 8MSOP

7447709330

7447709330

Wurth Electronics

FIXED IND 33UH 4.2A 45 MOHM SMD

C5750X7S2A106K230KE

C5750X7S2A106K230KE

TDK

CAP CER 10UF 100V X7S 2220

M28W160CT70N6E

M28W160CT70N6E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP

AD5664ARMZ

AD5664ARMZ

Analog Devices

IC DAC 16BIT V-OUT 10MSOP

FT4232HL-REEL

FT4232HL-REEL

FTDI, Future Technology Devices International Ltd

IC USB HS QUAD UART/SYNC 64-LQFP

ADG419BRZ

ADG419BRZ

Analog Devices

IC SWITCH SPDT 8SOIC

BCR30AM-12LB#B00

BCR30AM-12LB#B00

Renesas Electronics America

TRIAC 600V 30A TO3P