FDMQ8203
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| Teilenummer | FDMQ8203 |
| PNEDA Teilenummer | FDMQ8203 |
| Beschreibung | MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 26.676 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FDMQ8203 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FDMQ8203 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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FDMQ8203 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | GreenBridge™ PowerTrench® |
| FET-Typ | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V, 80V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3.4A, 2.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 210pF @ 50V |
| Leistung - max | 2.5W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 12-WDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 12-MLP (5x4.5) |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 390mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.2nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 120pF @ 6V Leistung - max 1.25W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-70-6 (SOT-363) |
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