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ALD114804APCL

ALD114804APCL

Nur als Referenz

Teilenummer ALD114804APCL
PNEDA Teilenummer ALD114804APCL
Beschreibung MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
Hersteller Advanced Linear Devices Inc.
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Auf Lager 2.448
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ALD114804APCL Ressourcen

Marke Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerALD114804APCL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
ALD114804APCL, ALD114804APCL Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 107,17 KB)
PDFALD114804APCL Datenblatt Cover
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  • ALD114804APCL Distributor

ALD114804APCL Technische Daten

HerstellerAdvanced Linear Devices Inc.
SerieEPAD®
FET-Typ4 N-Channel, Matched Pair
FET-FunktionDepletion Mode
Drain to Source Voltage (Vdss)10.6V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.12mA, 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs500Ohm @ 3.6V
Vgs (th) (Max) @ Id380mV @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2.5pF @ 5V
Leistung - max500mW
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall16-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket16-PDIP

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FET-Typ

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

140A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7600pF @ 25V

Leistung - max

150W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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ISOPLUSi5-Pak™

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Vishay Siliconix

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Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

530pF @ 15V

Leistung - max

2.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

IRF7379QTRPBF

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.8A, 4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 25V

Leistung - max

2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

EM6M1T2R

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V, 20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100mA, 200mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13pF @ 5V

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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UPA2383T1P-E1-A#YW

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

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FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

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-

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