Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FDME1023PZT

FDME1023PZT

Nur als Referenz

Teilenummer FDME1023PZT
PNEDA Teilenummer FDME1023PZT
Beschreibung MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6-MICROFET
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 36.402
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FDME1023PZT Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDME1023PZT
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FDME1023PZT, FDME1023PZT Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 338,04 KB)
PDFFDME1023PZT Datenblatt Cover
FDME1023PZT Datenblatt Seite 2 FDME1023PZT Datenblatt Seite 3 FDME1023PZT Datenblatt Seite 4 FDME1023PZT Datenblatt Seite 5 FDME1023PZT Datenblatt Seite 6 FDME1023PZT Datenblatt Seite 7 FDME1023PZT Datenblatt Seite 8 FDME1023PZT Datenblatt Seite 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FDME1023PZT Datasheet
  • where to find FDME1023PZT
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FDME1023PZT
  • FDME1023PZT PDF Datasheet
  • FDME1023PZT Stock

  • FDME1023PZT Pinout
  • Datasheet FDME1023PZT
  • FDME1023PZT Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FDME1023PZT Price
  • FDME1023PZT Distributor

FDME1023PZT Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs142mOhm @ 2.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds405pF @ 10V
Leistung - max600mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-UFDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket6-MicroFET (1.6x1.6)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

2N7002DWH6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

300mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

20pF @ 25V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

PG-SOT363-6

DMN26D0UDJ-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

240mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.05V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14.1pF @ 15V

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-963

Lieferantengerätepaket

SOT-963

IRF7103TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

AO6604L_001

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.4A, 2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 10V

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

APTM120H57FTG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

4 N-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

684mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

187nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5155pF @ 25V

Leistung - max

390W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

Kürzlich verkauft

LM7824ACT

LM7824ACT

ON Semiconductor

IC REG LINEAR 24V 1A TO220-3

UC3842BN

UC3842BN

ON Semiconductor

IC REG CTRLR BST FLYBK ISO 8-DIP

BAT54T1G

BAT54T1G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123

W5300

W5300

WIZnet

IC CONTROLLER ETHERNET 100LQFP

USBUF01W6

USBUF01W6

STMicroelectronics

FILTER RC(PI) 33 OHM/47PF SMD

ADUM1400CRWZ

ADUM1400CRWZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

UC3844BD1013TR

UC3844BD1013TR

STMicroelectronics

IC REG CTRLR BST FLYBK ISO 8SOIC

TL431ACLP

TL431ACLP

ON Semiconductor

IC VREF SHUNT ADJ TO92-3

RCLAMP0854P.TCT

RCLAMP0854P.TCT

Semtech

TVS DIODE 5.5V 30V SLP1616P6

3-1462039-1

3-1462039-1

TE Connectivity Potter & Brumfield Relays

RELAY TELECOM DPDT 2A 12VDC

IRFR5410TRRPBF

IRFR5410TRRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 100V 13A DPAK

DMG4468LFG-7

DMG4468LFG-7

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8