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SI5947DU-T1-E3

SI5947DU-T1-E3

Nur als Referenz

Teilenummer SI5947DU-T1-E3
PNEDA Teilenummer SI5947DU-T1-E3
Beschreibung MOSFET 2P-CH 20V 6A 8PWRPAK
Hersteller Vishay Siliconix
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SI5947DU-T1-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI5947DU-T1-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI5947DU-T1-E3, SI5947DU-T1-E3 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 90,66 KB)
PDFSI5947DU-T1-GE3 Datenblatt Cover
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SI5947DU-T1-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs58mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds480pF @ 10V
Leistung - max10.4W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallPowerPAK® ChipFET™ Dual
LieferantengerätepaketPowerPAK® ChipFet Dual

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.3nC, 6.7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

180pF, 305pF @ 15V

Leistung - max

2W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20.5mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

950pF @ 15V

Leistung - max

3.2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.5A, 1.95A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

205pF @ 20V

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18.5A (Ta), 49A (Tc), 30A (Ta), 85A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.3mOhm @ 20A, 10V, 2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V, 52nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

820pF @ 15V, 2555pF @ 15V

Leistung - max

3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 45W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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