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BUK9MHH-65PNN,518

BUK9MHH-65PNN,518

Nur als Referenz

Teilenummer BUK9MHH-65PNN,518
PNEDA Teilenummer BUK9MHH-65PNN-518
Beschreibung 9605 AUTO TRENCH PLUS
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 8.982
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BUK9MHH-65PNN Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBUK9MHH-65PNN,518
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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BUK9MHH-65PNN Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieTrenchPLUS
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)65V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs10.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44.6nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3643pF @ 25V
Leistung - max5W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Lieferantengerätepaket20-SO

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

756mOhm @ 350mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

45pF @ 10V

Leistung - max

220mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual) Common Source

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

310pF @ 10V

Leistung - max

800mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

9-UFBGA, WLBGA

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

104A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 52A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7220pF @ 25V

Leistung - max

390W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SP6-P

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchPLUS

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

65V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13.6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.3mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40.2nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3052pF @ 25V

Leistung - max

4.75W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

20-SO

AON6973A

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

22A, 30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1037pF @ 15V

Leistung - max

3.6W, 4.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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