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Transistoren

Datensätze 64.903
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Beschreibung
Auf Lager
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FDG6317NZ
FDG6317NZ

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC70-6

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: PowerTrench®
  • FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
  • FET-Funktion: Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 700mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 700mA, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 66.5pF @ 10V
  • Leistung - max: 300mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88 (SC-70-6)
Auf Lager8.658
FDG6318P
FDG6318P

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: 2 P-Channel (Dual)
  • FET-Funktion: Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 500mA, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
  • Leistung - max: 300mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88 (SC-70-6)
Auf Lager8.550
FDG6318PZ
FDG6318PZ

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: 2 P-Channel (Dual)
  • FET-Funktion: Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 500mA, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.62nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 85.4pF @ 10V
  • Leistung - max: 300mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88 (SC-70-6)
Auf Lager6.120
FDG6320C
FDG6320C

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET N/P-CH 25V SC70-6

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N and P-Channel
  • FET-Funktion: Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 220mA, 140mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
  • Leistung - max: 300mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88 (SC-70-6)
Auf Lager5.742
FDG6320C_D87Z
FDG6320C_D87Z

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET N/P-CH 25V SC70-6

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N and P-Channel
  • FET-Funktion: Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 220mA, 140mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
  • Leistung - max: 300mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88 (SC-70-6)
Auf Lager8.334
FDG6321C
FDG6321C

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET N/P-CH 25V SC70-6

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N and P-Channel
  • FET-Funktion: Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA, 410mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
  • Leistung - max: 300mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88 (SC-70-6)
Auf Lager4.356
FDG6321C-F169
FDG6321C-F169

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

INTEGRATED CIRCUIT

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N and P-Channel
  • FET-Funktion: Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Ta), 410mA (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V, 1.5nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V, 62pF @ 10V
  • Leistung - max: 300mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363
Auf Lager8.118
FDG6322C
FDG6322C

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET N/P-CH 25V SC70-6

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N and P-Channel
  • FET-Funktion: Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 220mA, 410mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
  • Leistung - max: 300mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88 (SC-70-6)
Auf Lager5.058
FDG6322C_D87Z
FDG6322C_D87Z

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET N/P-CH 25V SC70-6

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N and P-Channel
  • FET-Funktion: Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 220mA, 410mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
  • Leistung - max: 300mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88 (SC-70-6)
Auf Lager5.976
FDG6332C
FDG6332C

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET N/P-CH 20V SC70-6

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: PowerTrench®
  • FET-Typ: N and P-Channel
  • FET-Funktion: Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 700mA, 600mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
  • Leistung - max: 300mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88 (SC-70-6)
Auf Lager281.688
FDG6332C-F085
FDG6332C-F085

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET N/P-CH 20V SC70-6

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
  • FET-Typ: N and P-Channel
  • FET-Funktion: Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 700mA, 600mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
  • Leistung - max: 300mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88 (SC-70-6)
Auf Lager258.606
FDG6332C-F085P
FDG6332C-F085P

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

DUAL NP MOS SC70-6 20V

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N and P-Channel
  • FET-Funktion: Standard
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 700mA (Ta), 600mA (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V, 114pF @ 10V
  • Leistung - max: 300mW (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363
Auf Lager6.876
FDG6335N
FDG6335N

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: PowerTrench®
  • FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
  • FET-Funktion: Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 700mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
  • Leistung - max: 300mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88 (SC-70-6)
Auf Lager7.452
FDG8842CZ
FDG8842CZ

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: PowerTrench®
  • FET-Typ: N and P-Channel
  • FET-Funktion: Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 25V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 750mA, 410mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 750mA, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V
  • Leistung - max: 300mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88 (SC-70-6)
Auf Lager2.646
FDG8850NZ
FDG8850NZ

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC70-6

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: PowerTrench®
  • FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
  • FET-Funktion: Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 750mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 750mA, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V
  • Leistung - max: 300mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88 (SC-70-6)
Auf Lager2.070
FDJ1027P
FDJ1027P

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2P-CH 20V 2.8A SC-75

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: PowerTrench®
  • FET-Typ: 2 P-Channel (Dual)
  • FET-Funktion: Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.8A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.8A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 10V
  • Leistung - max: 900mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC75-6 FLMP
  • Lieferantengerätepaket: SC75-6 FLMP
Auf Lager7.326
FDJ1028N
FDJ1028N

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N-CH 20V 3.2A SC-75

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: PowerTrench®
  • FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
  • FET-Funktion: Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.2A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.2A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 10V
  • Leistung - max: 1.5W
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC75-6 FLMP
  • Lieferantengerätepaket: SC75-6 FLMP
Auf Lager3.240
FDJ1032C
FDJ1032C

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.8A SC75

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: PowerTrench®
  • FET-Typ: N and P-Channel
  • FET-Funktion: Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.2A, 2.8A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.2A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 10V
  • Leistung - max: 900mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC75-6 FLMP
  • Lieferantengerätepaket: SC75-6 FLMP
Auf Lager3.852
FDM2509NZ
FDM2509NZ

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N-CH 20V 8.7A 2X5MLP

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: PowerTrench®
  • FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
  • FET-Funktion: Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.7A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
  • Leistung - max: 800mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-WFDFN Exposed Pad
  • Lieferantengerätepaket: 6-MicroFET (2x5)
Auf Lager4.842
FDM3300NZ
FDM3300NZ

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N-CH 20V 10A MCRFET

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: PowerTrench®
  • FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
  • FET-Funktion: Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1610pF @ 10V
  • Leistung - max: 900mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 8-PowerVDFN
  • Lieferantengerätepaket: 8-MLP (3x3)
Auf Lager7.182
FDMA1023PZ
FDMA1023PZ

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2P-CH 20V 3.7A MICROFET

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: PowerTrench®
  • FET-Typ: 2 P-Channel (Dual)
  • FET-Funktion: Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.7A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V
  • Leistung - max: 700mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-VDFN Exposed Pad
  • Lieferantengerätepaket: 6-MicroFET (2x2)
Auf Lager4.932
FDMA1023PZ-F106
FDMA1023PZ-F106

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

DUAL P-CH ERTRENCH FETS

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: PowerTrench®
  • FET-Typ: 2 P-Channel (Dual)
  • FET-Funktion: Standard
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.7A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.7A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V
  • Leistung - max: 700mW (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-VDFN Exposed Pad
  • Lieferantengerätepaket: 6-MicroFET (2x2)
Auf Lager7.974
FDMA1024NZ
FDMA1024NZ

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N-CH 20V 5A 6-MICROFET

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: PowerTrench®
  • FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
  • FET-Funktion: Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
  • Leistung - max: 700mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-VDFN Exposed Pad
  • Lieferantengerätepaket: 6-MicroFET (2x2)
Auf Lager112.710
FDMA1025P
FDMA1025P

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2P-CH 20V 3.1A MLP2X2

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: PowerTrench®
  • FET-Typ: 2 P-Channel (Dual)
  • FET-Funktion: Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.1A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.1A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 10V
  • Leistung - max: 700mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-VDFN Exposed Pad
  • Lieferantengerätepaket: 6-MicroFET (2x2)
Auf Lager3.564
FDMA1027P
FDMA1027P

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: PowerTrench®
  • FET-Typ: 2 P-Channel (Dual)
  • FET-Funktion: Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 10V
  • Leistung - max: 800mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-VDFN Exposed Pad
  • Lieferantengerätepaket: 6-MicroFET (2x2)
Auf Lager4.320
FDMA1027PT
FDMA1027PT

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: PowerTrench®
  • FET-Typ: 2 P-Channel (Dual)
  • FET-Funktion: Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 10V
  • Leistung - max: 700mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-VDFN Exposed Pad
  • Lieferantengerätepaket: 6-MicroFET (2x2)
Auf Lager2.556
FDMA1028NZ
FDMA1028NZ

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6-MICROFET

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: PowerTrench®
  • FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
  • FET-Funktion: Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
  • Leistung - max: 700mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-VDFN Exposed Pad
  • Lieferantengerätepaket: 6-MicroFET (2x2)
Auf Lager347.394
FDMA1028NZ-F021
FDMA1028NZ-F021

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: PowerTrench®
  • FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
  • FET-Funktion: Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
  • Leistung - max: 700mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-VDFN Exposed Pad
  • Lieferantengerätepaket: 6-MicroFET (2x2)
Auf Lager8.172
FDMA1029PZ
FDMA1029PZ

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2P-CH 20V 3.1A MICROFET

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: PowerTrench®
  • FET-Typ: 2 P-Channel (Dual)
  • FET-Funktion: Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.1A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
  • Leistung - max: 700mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-VDFN Exposed Pad
  • Lieferantengerätepaket: 6-MicroFET (2x2)
Auf Lager49.554
FDMA1032CZ
FDMA1032CZ

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: PowerTrench®
  • FET-Typ: N and P-Channel
  • FET-Funktion: Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.7A, 3.1A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
  • Leistung - max: 700mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-VDFN Exposed Pad
  • Lieferantengerätepaket: 6-MicroFET (2x2)
Auf Lager1.156.296