FDMA1025P
Nur als Referenz
| Teilenummer | FDMA1025P |
| PNEDA Teilenummer | FDMA1025P |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 20V 3.1A MLP2X2 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.564 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 27 - Mai 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FDMA1025P Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FDMA1025P |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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FDMA1025P Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3.1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.8nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 10V |
| Leistung - max | 700mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-VDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 6-MicroFET (2x2) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 775pF @ 10V Leistung - max 620mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 6-TDFN (2x2) |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 830mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket 6-TSOP |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 135mOhm @ 1.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 260pF @ 15V Leistung - max 1.25W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket Micro8™ |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 78A Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 744nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 20700pF @ 25V Leistung - max 1250W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 4.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 16V Leistung - max 4.2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
