Transistoren

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Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
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Transistoren - JFETs (664)
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FDMS3602S ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A, 26A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 13V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: Power56	Auf Lager59.658
FDMS3604AS ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A, 23A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1695pF @ 15V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: Power56	Auf Lager5.580
FDMS3604S ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A, 23A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1785pF @ 15V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: Power56	Auf Lager8.316
FDMS3606AS ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A, 27A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1695pF @ 15V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: Power56	Auf Lager8.550
FDMS3606S ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A, 27A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1785pF @ 15V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: Power56	Auf Lager5.274
FDMS3610S ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/30A 8-MLP Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17.5A, 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 13V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: Power56	Auf Lager8.820
FDMS3615S ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A 8-PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A, 18A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 13V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: Power56	Auf Lager6.228
FDMS3616S ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A, 18A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 13V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: Power56	Auf Lager7.740
FDMS3620S ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/38A 8PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17.5A, 38A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 13V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: Power56	Auf Lager101.088
FDMS3622S ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/34A PWR56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17.5A, 34A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 13V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: Power56	Auf Lager27.906
FDMS3624S ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/30A 8PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17.5A, 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 13V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: Power56	Auf Lager7.578
FDMS3626S ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/25A 8PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17.5A, 25A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 13V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: Power56	Auf Lager23.430
FDMS3660AS ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A, 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2230pF @ 15V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: Power56	Auf Lager2.160
FDMS3660S ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A, 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: Power56	Auf Lager7.362
FDMS3660S-F121 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A, 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: Power56	Auf Lager3.258
FDMS3664S ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A 8-PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A, 25A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: Power56	Auf Lager24.846
FDMS3668S ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A 8-PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A, 18A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: Power56	Auf Lager7.380
FDMS3669S ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A, 18A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1605pF @ 15V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: Power56	Auf Lager6.372
FDMS3686S ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A, 23A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1785pF @ 10V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: Power56	Auf Lager25.068
FDMS3D5N08LC ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays PTNG 80/20V IN 5X6CLIP Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 19A (Ta), 136A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6)	Auf Lager2.250
FDMS7600AS ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 12A/22A POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A, 22A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 15V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: Power56	Auf Lager8.172
FDMS7602S ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A, 17A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 15V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: Power56	Auf Lager3.600
FDMS7606 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 11.5A/12A PWR56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.5A, 12A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: Power56	Auf Lager125
FDMS7608S ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A 8-PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A, 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: Power56	Auf Lager22.206
FDMS7620S ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.1A, 12.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: Power56	Auf Lager5.976
FDMS7620S-F106 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.1A, 12.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: - Montagetyp: Sub-Base Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: Power56	Auf Lager7.326
FDMS7700S ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 12A/22A POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A, 22A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 15V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: Power56	Auf Lager5.508
FDMS8090 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 100V 10A PWR56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 50V Leistung - max: 2.2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: 8-MLP (5x6), Power56	Auf Lager6.912
FDMS8095AC ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 150V 6.2A/1A PWR56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.2A, 1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2020pF @ 75V Leistung - max: 2.3W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: 8-MLP (5x6), Power56	Auf Lager5.976
FDMS9600S ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A, 16A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1705pF @ 15V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket: 8-MLP (5x6), Power56	Auf Lager27.954

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