FDMS3660S
Nur als Referenz
Teilenummer | FDMS3660S |
PNEDA Teilenummer | FDMS3660S |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 7.362 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
FDMS3660S Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | FDMS3660S |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- FDMS3660S Datasheet
- where to find FDMS3660S
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor FDMS3660S
- FDMS3660S PDF Datasheet
- FDMS3660S Stock
- FDMS3660S Pinout
- Datasheet FDMS3660S
- FDMS3660S Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- FDMS3660S Price
- FDMS3660S Distributor
FDMS3660S Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | PowerTrench® |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 13A, 30A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1765pF @ 15V |
Leistung - max | 1W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
Lieferantengerätepaket | Power56 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Alpha & Omega Semiconductor Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 20.5mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 865pF @ 15V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Vishay Siliconix Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 4.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 830mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie CoolMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 143A Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 71.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1036nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 28000pF @ 25V Leistung - max 833W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6 |
Vishay Siliconix Hersteller Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 790pF @ 35V Leistung - max 34W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® SO-8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 15V Leistung - max 2.5W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-FlipFet™ Lieferantengerätepaket 6-FlipFet™ |