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FDMS3D5N08LC

FDMS3D5N08LC

Nur als Referenz

Teilenummer FDMS3D5N08LC
PNEDA Teilenummer FDMS3D5N08LC
Beschreibung PTNG 80/20V IN 5X6CLIP
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 2.250
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FDMS3D5N08LC Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDMS3D5N08LC
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FDMS3D5N08LC, FDMS3D5N08LC Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 259,2 KB)
PDFFDMS3D5N08LC Datenblatt Cover
FDMS3D5N08LC Datenblatt Seite 2 FDMS3D5N08LC Datenblatt Seite 3 FDMS3D5N08LC Datenblatt Seite 4 FDMS3D5N08LC Datenblatt Seite 5 FDMS3D5N08LC Datenblatt Seite 6 FDMS3D5N08LC Datenblatt Seite 7

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FDMS3D5N08LC Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-TypN-Channel
FET-Funktion-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.19A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerTDFN
Lieferantengerätepaket8-PQFN (5x6)

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Hersteller

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Serie

CoolMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Source

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

58A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

9-SMD Power Module

Lieferantengerätepaket

SMPD

UT6JA2TCR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

305pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-PowerUDFN

Lieferantengerätepaket

HUML2020L8

AO6802L_001

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 15V

Leistung - max

1.15W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

SSM6N35FE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

180mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 50mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9.5pF @ 3V

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

ES6 (1.6x1.6)

IRF7105PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A, 2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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