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FDMS9600S

FDMS9600S

Nur als Referenz

Teilenummer FDMS9600S
PNEDA Teilenummer FDMS9600S
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A POWER56
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 27.954
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FDMS9600S Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDMS9600S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FDMS9600S, FDMS9600S Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 407,15 KB)
PDFFDMS9600S Datenblatt Cover
FDMS9600S Datenblatt Seite 2 FDMS9600S Datenblatt Seite 3 FDMS9600S Datenblatt Seite 4 FDMS9600S Datenblatt Seite 5 FDMS9600S Datenblatt Seite 6 FDMS9600S Datenblatt Seite 7 FDMS9600S Datenblatt Seite 8 FDMS9600S Datenblatt Seite 9 FDMS9600S Datenblatt Seite 10

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FDMS9600S Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.12A, 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1705pF @ 15V
Leistung - max1W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerWDFN
Lieferantengerätepaket8-MLP (5x6), Power56

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Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

112mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 20V

Leistung - max

10W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® ChipFET™ Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® ChipFet Dual

Hersteller

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Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

70V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

165A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 82.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

480nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8800pF @ 25V

Leistung - max

390W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-240AA

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 7.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2020pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

390pF @ 10V

Leistung - max

550mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A (Ta), 18A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

896pF @ 20V

Leistung - max

48W, 43W

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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