VMK165-007T
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| Teilenummer | VMK165-007T |
| PNEDA Teilenummer | VMK165-007T |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 70V 165A TO-240AA |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.912 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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VMK165-007T Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VMK165-007T |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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VMK165-007T Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 70V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 165A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 82.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 480nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8800pF @ 25V |
| Leistung - max | 390W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | TO-240AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-240AA |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 225mOhm @ 1.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.8nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 75pF @ 15V Leistung - max 1.25W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-70-6 (SOT-363) |
Hersteller Diodes Incorporated Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 45V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 53mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.4nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 10V Leistung - max 550mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket TSMT8 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
