QS8K21TR
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| Teilenummer | QS8K21TR |
| PNEDA Teilenummer | QS8K21TR |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 45V 4A TSMT8 |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.546 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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QS8K21TR Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | QS8K21TR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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QS8K21TR Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 45V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.4nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 460pF @ 10V |
| Leistung - max | 550mW |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
| Lieferantengerätepaket | TSMT8 |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 610pF @ 25V Leistung - max 2W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5900pF @ 20V Leistung - max 75W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® 8 x 8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® 8 x 8 Dual |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Diodes Incorporated Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
