DMC3730UVT-7
Nur als Referenz
Teilenummer | DMC3730UVT-7 |
PNEDA Teilenummer | DMC3730UVT-7 |
Beschreibung | MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R |
Hersteller | Diodes Incorporated |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 3.508 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
DMC3730UVT-7 Ressourcen
Marke | Diodes Incorporated |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | DMC3730UVT-7 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- DMC3730UVT-7 Datasheet
- where to find DMC3730UVT-7
- Diodes Incorporated
- Diodes Incorporated DMC3730UVT-7
- DMC3730UVT-7 PDF Datasheet
- DMC3730UVT-7 Stock
- DMC3730UVT-7 Pinout
- Datasheet DMC3730UVT-7
- DMC3730UVT-7 Supplier
- Diodes Incorporated Distributor
- DMC3730UVT-7 Price
- DMC3730UVT-7 Distributor
DMC3730UVT-7 Technische Daten
Hersteller | Diodes Incorporated |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
FET-Typ | N and P-Channel Complementary |
FET-Funktion | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 680mA (Ta), 460mA (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.64nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V, 63pF @ 10V |
Leistung - max | 700mW |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Lieferantengerätepaket | TSOT-26 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.6A, 2.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 355pF @ 10V Leistung - max 710mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 6-WDFN (2x2) |
IXYS Hersteller IXYS Serie HiPerFET™, TrenchT2™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 120A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 178nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10500pF @ 25V Leistung - max 170W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUSi5-Pak™ Lieferantengerätepaket ISOPLUS i4-PAC™ |
Texas Instruments Hersteller Serie NexFET™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 32A Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1255pF @ 15V Leistung - max 12W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerLDFN Lieferantengerätepaket 8-LSON (5x6) |
Vishay Siliconix Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 12A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 600µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.4W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® SO-8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual |
Rohm Semiconductor Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7A (Ta), 8.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7A, 10V, 19.6mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.8nC, 17.8nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 660pF, 830F @ 10V Leistung - max 1.4W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |