Transistoren

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FDS4897C ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.2A, 4.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 20V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager275.730
FDS4935 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager4.184
FDS4935A ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager56.952
FDS4935BZ ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 15V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager354.678
FDS4953 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 528pF @ 15V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager3.798
FDS6812A ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1082pF @ 10V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager6.372
FDS6875 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 10V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager56.400
FDS6890A ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2130pF @ 10V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager72.996
FDS6892A ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1333pF @ 10V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager4.392
FDS6892AZ ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1286pF @ 10V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager5.076
FDS6894A ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1676pF @ 10V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager3.150
FDS6894AZ ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1455pF @ 10V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager5.436
FDS6898A ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager18.600
FDS6898A_NF40 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager5.868
FDS6898AZ ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager20.040
FDS6898AZ-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager5.652
FDS6900AS ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench®, SyncFET™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.9A, 8.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager4.176
FDS6910 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager192.612
FDS6911 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager262.068
FDS6912 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 15V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager7.920
FDS6912A ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager52.074
FDS6930A ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 15V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager5.634
FDS6930B ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 412pF @ 15V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager22.608
FDS6961A ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager21.798
FDS6961A_F011 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager5.184
FDS6975 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1540pF @ 15V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager102.252
FDS6982 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.3A, 8.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 10V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager23.267
FDS6982AS ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8-SO Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench®, SyncFET™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.3A, 8.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 10V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager262.740
FDS6982AS_G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SO Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench®, SyncFET™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.3A, 8.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V, 13.5mOhm @ 8.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 5V, 16nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 10V, 1250pF @ 10V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager5.562
FDS6982S ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench®, SyncFET™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.3A, 8.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2040pF @ 10V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager5.760

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