Transistoren

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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
FDW9926NZ ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 8-TSSOP Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager6.966
FDWS9420-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CH 40V 20A 8-PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 20V Leistung - max: 75W Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6)	Auf Lager4.788
FDWS9520L-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays PT8P 40V LL DUAL PQFN56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2370pF @ 20V Leistung - max: 75W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6)	Auf Lager3.780
FDY1002PZ ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 830mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 830mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 10V Leistung - max: 446mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563F	Auf Lager524.364
FDY2000PZ ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 350mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 10V Leistung - max: 446mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563F	Auf Lager23.484
FDY2001PZ ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 0.15A SOT-563F Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 150mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 10V Leistung - max: 446mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563F	Auf Lager7.794
FDY3000NZ ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 0.6A SC89 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 600mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V Leistung - max: 446mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563F	Auf Lager808.290
FDY3001NZ ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 0.2A SOT-563F Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V Leistung - max: 446mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563F	Auf Lager5.472
FDY4000CZ ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V SC89-6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 600mA, 350mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V Leistung - max: 446mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563F	Auf Lager746.448
FDY4001CZ ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V SC89-6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA, 150mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V Leistung - max: 446mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563F	Auf Lager7.020
FDZ1323NZ ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2055pF @ 10V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFBGA, WLCSP Lieferantengerätepaket: 6-WLCSP (1.3x2.3)	Auf Lager2.664
FDZ1416NZ ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 4-WLCSP Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-XFBGA, WLCSP Lieferantengerätepaket: 4-WLCSP (1.6x1.4)	Auf Lager50.106
FDZ1905PZ ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 6-WLCSP Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UFBGA, WLCSP Lieferantengerätepaket: 6-WLCSP (1.0x1.5)	Auf Lager7.466
FDZ2553N ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 9.6A BGA Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1299pF @ 10V Leistung - max: 2.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 18-WFBGA Lieferantengerätepaket: 18-BGA (2.5x4)	Auf Lager4.608
FDZ2553NZ ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 9.6A BGA Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 10V Leistung - max: 2.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 18-WFBGA Lieferantengerätepaket: 18-BGA (2.5x4)	Auf Lager5.256
FDZ2554P ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 6.5A BGA Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 10V Leistung - max: 2.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 18-WFBGA Lieferantengerätepaket: 18-BGA (2.5x4)	Auf Lager974
FDZ2554PZ ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 6.5A BGA Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 10V Leistung - max: 2.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 18-WFBGA Lieferantengerätepaket: 18-BGA (2.5x4)	Auf Lager2.646
FF11MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.55V @ 40mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7950pF @ 800V Leistung - max: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager8.316
FF23MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.55V @ 20mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3950pF @ 800V Leistung - max: 20mW Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager4.356
FF45MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET MODULE 1200V 50A Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V (Typ) Vgs (th) (Max) @ Id: 5.55V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1840pF @ 800V Leistung - max: 20mW (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: AG-EASY1BM-2	Auf Lager7.632
FF6MR12W2M1B11BOMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET MODULE 1200V 200A Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.63mOhm @ 200A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.55V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V Leistung - max: 20mW (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: AG-EASY2BM-2	Auf Lager8.226
FF8MR12W2M1B11BOMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET MODULE 1200V 150A Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 150A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ) Vgs (th) (Max) @ Id: 5.55V @ 60mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 372nC @ 15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11000pF @ 800V Leistung - max: 20mW (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: AG-EASY2BM-2	Auf Lager7.560
FG6943010R Panasonic Electronic Components	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 0.1A SSMINI6 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SSMini6-F3-B	Auf Lager1.417.080
FMK75-01F IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: i4-Pac™-5 Lieferantengerätepaket: ISOPLUS i4-PAC™	Auf Lager3.366
FMM110-015X2F IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 150V 53A I4-PAC Hersteller: IXYS Serie: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 53A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8600pF @ 25V Leistung - max: 180W Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: i4-Pac™-5 Lieferantengerätepaket: ISOPLUS i4-PAC™	Auf Lager4.428
FMM150-0075P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 75V 150A I4-PAC-5 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 150A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 120A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: i4-Pac™-5 Lieferantengerätepaket: ISOPLUS i4-PAC™	Auf Lager4.050
FMM150-0075X2F IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 75V 120A I4-PAC-5 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, TrenchT2™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10500pF @ 25V Leistung - max: 170W Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: ISOPLUSi5-Pak™ Lieferantengerätepaket: ISOPLUS i4-PAC™	Auf Lager2.304
FMM22-05PF IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 500V 13A I4-PAC Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2630pF @ 25V Leistung - max: 132W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: i4-Pac™-5 Lieferantengerätepaket: ISOPLUS i4-PAC™	Auf Lager7.200
FMM22-06PF IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 600V 12A I4-PAC Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V Leistung - max: 130W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: i4-Pac™-5 Lieferantengerätepaket: ISOPLUS i4-PAC™	Auf Lager6.786
FMM300-0055P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 55V 300A I4-PAC-5 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 150A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: i4-Pac™-5 Lieferantengerätepaket: ISOPLUS i4-PAC™	Auf Lager5.022

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