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GWM160-0055X1-SLSAM IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 150A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 17-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: ISOPLUS-DIL™	Auf Lager5.490
GWM160-0055X1-SMD IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 150A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 17-SMD, Gull Wing Lieferantengerätepaket: ISOPLUS-DIL™	Auf Lager8.604
GWM160-0055X1-SMDSAM IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 150A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 17-SMD, Gull Wing Lieferantengerätepaket: ISOPLUS-DIL™	Auf Lager8.820
GWM180-004X2-SL IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 6N-CH 40V 180A 17-SMD Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 17-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: ISOPLUS-DIL™	Auf Lager5.922
GWM180-004X2-SLSAM IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 6N-CH 40V 180A 17-SMD Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 17-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: ISOPLUS-DIL™	Auf Lager4.734
GWM180-004X2-SMD IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 6N-CH 40V 180A 17-SMD Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 17-SMD, Gull Wing Lieferantengerätepaket: ISOPLUS-DIL™	Auf Lager3.816
GWM180-004X2-SMDSAM IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 6N-CH 40V 180A 17-SMD Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 17-SMD, Gull Wing Lieferantengerätepaket: ISOPLUS-DIL™	Auf Lager5.886
GWM220-004P3-SL IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 17-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: ISOPLUS-DIL™	Auf Lager3.402
GWM220-004P3-SL SAM IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 17-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: ISOPLUS-DIL™	Auf Lager2.340
GWM220-004P3-SMD IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 17-SMD, Gull Wing Lieferantengerätepaket: ISOPLUS-DIL™	Auf Lager2.412
GWM220-004P3-SMD SAM IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 17-SMD, Gull Wing Lieferantengerätepaket: ISOPLUS-DIL™	Auf Lager5.238
GWM70-01P2 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 6N-CH 100V 70A ISODIL Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: ISOPLUS-DIL™ Lieferantengerätepaket: ISOPLUS-DIL™	Auf Lager7.344
GWS4621L Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1125pF @ 10V Leistung - max: 3.6W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-XFLGA, CSP Lieferantengerätepaket: 4-WLCSP (1.82x1.82)	Auf Lager7.254
GWS9293 Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CH 20V 9.4A 4QFN Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 10V Leistung - max: 3.6W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-VDFN Lieferantengerätepaket: 4-QFN (2x2)	Auf Lager2.502
GWS9294 Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CH 20V 10.1A 4QFN Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V Leistung - max: 3.6W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-VDFN Lieferantengerätepaket: 4-QFN (2x2)	Auf Lager3.454
HAT1126RWS-E Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET P-CH SOP8 Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 10V Leistung - max: 3W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager4.464
HAT2038R-EL-E Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V Leistung - max: 3W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager3.708
HAT2038RWS-E Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N-CH SOP8 Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 4V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V Leistung - max: 3W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager3.132
HAT2092R-EL-E Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 11A 8-SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V Leistung - max: 3W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager2.070
HAT2210RWS-E Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N-PAK 8SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Schottky FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.5A (Ta), 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 3.75A, 10V, 22mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 10V, 1330pF @ 10V Leistung - max: 1.5W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager3.600
HCT802 TT Electronics/Optek Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD Hersteller: TT Electronics/Optek Technology Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 90V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A, 1.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 25V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: 6-SMD	Auf Lager7.488
HCT802TX TT Electronics/Optek Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD Hersteller: TT Electronics/Optek Technology Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 90V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A, 1.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 25V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: 6-SMD	Auf Lager7.506
HCT802TXV TT Electronics/Optek Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD Hersteller: TT Electronics/Optek Technology Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 90V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A, 1.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 25V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: 6-SMD	Auf Lager8.622
HP8K22TB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 30V NCH+NCH MID POWER MOSFET Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 27A, 57A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 15V Leistung - max: 25W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: 8-HSOP	Auf Lager41.502
HP8K24TB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays HP8K24 IS THE HIGH RELIABILITY T Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Ta), 27A (Tc), 26A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V, 3mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC, 36nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF, 2410pF @ 15V Leistung - max: 3W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: 8-HSOP	Auf Lager25.728
HP8KA1TB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V Leistung - max: 3W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: 8-HSOP	Auf Lager4.482
HP8M31TB1 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays HP8M31TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC, 38nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF, 2300pF @ 30V Leistung - max: 3W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: 8-HSOP	Auf Lager3.564
HP8M51TB1 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays HP8M51TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC, 26.2nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 50V Leistung - max: 3W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: 8-HSOP	Auf Lager7.884
HP8MA2TB1 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays HP8MA2 IS LOW ON-RESISTANCE AND Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Ta), 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC, 25nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF, 1250pF @ 15V Leistung - max: 3W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: 8-HSOP	Auf Lager24.906
HP8S36TB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET, Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 27A, 80A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 15V Leistung - max: 29W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: 8-HSOP	Auf Lager4.428

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