GWS9293
Nur als Referenz
| Teilenummer | GWS9293 |
| PNEDA Teilenummer | GWS9293 |
| Beschreibung | MOSFET 2 N-CH 20V 9.4A 4QFN |
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.502 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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GWS9293 Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | GWS9293 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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GWS9293 Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 9.4A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5nC @ 4V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 10V |
| Leistung - max | 3.6W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 4-VDFN |
| Lieferantengerätepaket | 4-QFN (2x2) |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 10V Leistung - max 2W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
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