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IRF7555TR

IRF7555TR

Nur als Referenz

Teilenummer IRF7555TR
PNEDA Teilenummer IRF7555TR
Beschreibung MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.092
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRF7555TR Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRF7555TR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
IRF7555TR, IRF7555TR Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 71,58 KB)
PDFIRF7555TR Datenblatt Cover
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IRF7555TR Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1066pF @ 10V
Leistung - max1.25W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
LieferantengerätepaketMicro8™

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Super Junction

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

59A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 52A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 6mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

540nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13600pF @ 100V

Leistung - max

462W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

DMG6601LVT-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.8A, 2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.3nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

422pF @ 15V

Leistung - max

850mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

TSOT-26

AOC2802_001

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 10V

Leistung - max

1.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-UFBGA, WLCSP

Lieferantengerätepaket

4-WLCSP (1.57x1.57)

IRF7754

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1984pF @ 6V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

TPC8208(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2.5A, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

780pF @ 10V

Leistung - max

450mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

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Surface Mount

Paket / Fall

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