IRF7555TR
Nur als Referenz
| Teilenummer | IRF7555TR |
| PNEDA Teilenummer | IRF7555TR |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.092 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IRF7555TR Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRF7555TR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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IRF7555TR Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4.3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 4.3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1066pF @ 10V |
| Leistung - max | 1.25W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | Micro8™ |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.5mOhm @ 10A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.4nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2953pF @ 25V Leistung - max 64W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-1205, 8-LFPAK56 Lieferantengerätepaket LFPAK56D |
Hersteller Microsemi Corporation Serie CoolMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Super Junction Drain to Source Voltage (Vdss) 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 59A Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 540nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13600pF @ 100V Leistung - max 462W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP1 Lieferantengerätepaket SP1 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.8A, 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.3nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 422pF @ 15V Leistung - max 850mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket TSOT-26 |
