SI4913DY-T1-GE3
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| Teilenummer | SI4913DY-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SI4913DY-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.038 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI4913DY-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI4913DY-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SI4913DY-T1-GE3, SI4913DY-T1-GE3 Datenblatt
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SI4913DY-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 7.1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 9.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 500µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | 1.1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
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Hersteller EPC Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 15V, 590pF @ 15V Leistung - max - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A, 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.63Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.2nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 25V Leistung - max 650mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 80A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 4mA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 197nC @ 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3800pF @ 1000V Leistung - max 500W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP3 Lieferantengerätepaket SP3 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 15A (Ta), 27A (Tc), 26A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8mOhm @ 15A, 10V, 3mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC, 36nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 590pF, 2410pF @ 15V Leistung - max 3W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket 8-HSOP |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 8.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 350µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
