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GWS4621L

GWS4621L

Nur als Referenz

Teilenummer GWS4621L
PNEDA Teilenummer GWS4621L
Beschreibung MOSFET 2N-CH
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
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Auf Lager 7.254
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 14 - Feb 19 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

GWS4621L Ressourcen

Marke Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGWS4621L
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
GWS4621L, GWS4621L Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 518,5 KB)
PDFGWS4621L Datenblatt Cover
GWS4621L Datenblatt Seite 2 GWS4621L Datenblatt Seite 3 GWS4621L Datenblatt Seite 4 GWS4621L Datenblatt Seite 5 GWS4621L Datenblatt Seite 6 GWS4621L Datenblatt Seite 7 GWS4621L Datenblatt Seite 8

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GWS4621L Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America Inc.
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.10.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.8mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1125pF @ 10V
Leistung - max3.6W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall4-XFLGA, CSP
Lieferantengerätepaket4-WLCSP (1.82x1.82)

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Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

87mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.8nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

680pF @ 15V

Leistung - max

490mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

25A (Ta), 145A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.65mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 90µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3170pF @ 25V

Leistung - max

3.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

SH8MA4TB1

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A (Ta), 8.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21.4mOhm @ 9A, 10V, 29.6mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.5nC, 19.6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

640pF, 890pF @ 15V

Leistung - max

2W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

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Hersteller

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 30V

Leistung - max

2.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

NVDD5894NLT4G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2103pF @ 25V

Leistung - max

3.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

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