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HCT802TX

HCT802TX

Nur als Referenz

Teilenummer HCT802TX
PNEDA Teilenummer HCT802TX
Beschreibung MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD
Hersteller TT Electronics/Optek Technology
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Auf Lager 7.506
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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HCT802TX Ressourcen

Marke TT Electronics/Optek Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHCT802TX
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
HCT802TX, HCT802TX Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 244,26 KB)
PDFHCT802TX Datenblatt Cover
HCT802TX Datenblatt Seite 2 HCT802TX Datenblatt Seite 3

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HCT802TX Technische Daten

HerstellerTT Electronics/Optek Technology
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)90V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2A, 1.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds70pF @ 25V
Leistung - max500mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-SMD, No Lead
Lieferantengerätepaket6-SMD

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15.5A (Ta), 68A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21.3nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1440pF @ 25V

Leistung - max

3W (Ta), 57.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.1nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Gull Wing

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

500mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Leistung - max

300mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

825pF @ 10V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

23A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 7mA

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