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FMM22-06PF

FMM22-06PF

Nur als Referenz

Teilenummer FMM22-06PF
PNEDA Teilenummer FMM22-06PF
Beschreibung MOSFET 2N-CH 600V 12A I4-PAC
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.786
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FMM22-06PF Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFMM22-06PF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FMM22-06PF, FMM22-06PF Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 96,03 KB)
PDFFMM22-06PF Datenblatt Cover
FMM22-06PF Datenblatt Seite 2

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FMM22-06PF Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFET™, PolarHT™
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs350mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs58nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3600pF @ 25V
Leistung - max130W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Falli4-Pac™-5
LieferantengerätepaketISOPLUS i4-PAC™

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

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Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

690pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

120A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 22mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14000pF @ 10V

Leistung - max

780W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

-

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V, 20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.5A, 1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

80pF @ 10V, 150pF @ 10V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®, Zero Threshold™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

20mV @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel, Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

2.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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