US6M2GTR
Nur als Referenz
Teilenummer | US6M2GTR | ||||||||||||||||||
PNEDA Teilenummer | US6M2GTR | ||||||||||||||||||
Beschreibung | 2.5V DRIVE NCH+PCH MOSFET, 6 PIN | ||||||||||||||||||
Hersteller | Rohm Semiconductor | ||||||||||||||||||
Stückpreis |
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Auf Lager | 73 | ||||||||||||||||||
Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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US6M2GTR Ressourcen
Marke | Rohm Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | US6M2GTR |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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US6M2GTR Technische Daten
Hersteller | Rohm Semiconductor |
Serie | - |
FET-Typ | N and P-Channel |
FET-Funktion | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V, 20V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.5A, 1A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 80pF @ 10V, 150pF @ 10V |
Leistung - max | 1W |
Betriebstemperatur | 150°C |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 6-SMD, Flat Leads |
Lieferantengerätepaket | TUMT6 |
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Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1380pF @ 15V Leistung - max 2.7W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DirectFET™ Isometric MA Lieferantengerätepaket DIRECTFET™ MA |