FF11MR12W1M1B11BOMA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | FF11MR12W1M1B11BOMA1 |
| PNEDA Teilenummer | FF11MR12W1M1B11BOMA1 |
| Beschreibung | MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.316 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 13 - Apr 18 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FF11MR12W1M1B11BOMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FF11MR12W1M1B11BOMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
FF11MR12W1M1B11BOMA1, FF11MR12W1M1B11BOMA1 Datenblatt
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FF11MR12W1M1B11BOMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolSiC™+ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 100A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 100A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.55V @ 40mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 15V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7950pF @ 800V |
| Leistung - max | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V, 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 115mA, 130mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V Leistung - max 200mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SOT-363 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 510mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 304nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V Leistung - max 700mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Lieferantengerätepaket SOT-26 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 796pF @ 25V Leistung - max 1.8W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
