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FDMS3610S

FDMS3610S

Nur als Referenz

Teilenummer FDMS3610S
PNEDA Teilenummer FDMS3610S
Beschreibung MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/30A 8-MLP
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.820
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FDMS3610S Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDMS3610S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FDMS3610S, FDMS3610S Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 451,25 KB)
PDFFDMS3610S Datenblatt Cover
FDMS3610S Datenblatt Seite 2 FDMS3610S Datenblatt Seite 3 FDMS3610S Datenblatt Seite 4 FDMS3610S Datenblatt Seite 5 FDMS3610S Datenblatt Seite 6 FDMS3610S Datenblatt Seite 7 FDMS3610S Datenblatt Seite 8 FDMS3610S Datenblatt Seite 9 FDMS3610S Datenblatt Seite 10 FDMS3610S Datenblatt Seite 11

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FDMS3610S Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-Typ2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.17.5A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1570pF @ 13V
Leistung - max1W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerTDFN
LieferantengerätepaketPower56

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.5A, 1.95A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

205pF @ 20V

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

6-TSOP

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Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

345pF @ 25V

Leistung - max

20W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerWDFN

Lieferantengerätepaket

8-PDFN (3x3)

AON6924

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A, 28A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1560pF @ 15V

Leistung - max

2W, 2.2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16.5mOhm @ 8.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Serie

-

FET-Typ

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.9A, 2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1167pF @ 25V

Leistung - max

2.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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