Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FDMS3616S

FDMS3616S

Nur als Referenz

Teilenummer FDMS3616S
PNEDA Teilenummer FDMS3616S
Beschreibung MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A POWER56
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.740
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 12 - Jan 17 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FDMS3616S Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDMS3616S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FDMS3616S, FDMS3616S Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 569,77 KB)
PDFFDMS3616S Datenblatt Cover
FDMS3616S Datenblatt Seite 2 FDMS3616S Datenblatt Seite 3 FDMS3616S Datenblatt Seite 4 FDMS3616S Datenblatt Seite 5 FDMS3616S Datenblatt Seite 6 FDMS3616S Datenblatt Seite 7 FDMS3616S Datenblatt Seite 8 FDMS3616S Datenblatt Seite 9 FDMS3616S Datenblatt Seite 10 FDMS3616S Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FDMS3616S Datasheet
  • where to find FDMS3616S
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FDMS3616S
  • FDMS3616S PDF Datasheet
  • FDMS3616S Stock

  • FDMS3616S Pinout
  • Datasheet FDMS3616S
  • FDMS3616S Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FDMS3616S Price
  • FDMS3616S Distributor

FDMS3616S Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-Typ2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.16A, 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.6mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1765pF @ 13V
Leistung - max1W
Betriebstemperatur-
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerTDFN
LieferantengerätepaketPower56

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

APTC60AM24T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

95A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14400pF @ 25V

Leistung - max

462W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

FDMS3606S

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13A, 27A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1785pF @ 15V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

Power56

NDS8936

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

720pF @ 15V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

VQ3001P-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

2 N and 2 P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

850mA, 600mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 1A, 12V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

185pF @ 10V

Leistung - max

510mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

DFN2020-6

Kürzlich verkauft

BC807-16LT1G

BC807-16LT1G

ON Semiconductor

TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23

JAN1N5811

JAN1N5811

Microsemi

DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

TAJA106K016RNJ

TAJA106K016RNJ

CAP TANT 10UF 10% 16V 1206

MAX690AESA+T

MAX690AESA+T

Maxim Integrated

IC SUPERVISOR MPU 8-SOIC

MB96F356RWBPMC-GSE2

MB96F356RWBPMC-GSE2

Cypress Semiconductor

IC MCU 16BIT 288KB FLASH 64LQFP

IR2151

IR2151

Infineon Technologies

IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8-DIP

NAND128W3A2BN6E

NAND128W3A2BN6E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 128M PARALLEL 48TSOP

PDS760-13

PDS760-13

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 60V 7A POWERDI5

AT25640AN-10SU-2.7

AT25640AN-10SU-2.7

Microchip Technology

IC EEPROM 64K SPI 20MHZ 8SOIC

HX2305NL

HX2305NL

Pulse Electronics Network

XFRMR MODUL 2PORT POE 1:1 10/100

TMMDB3

TMMDB3

STMicroelectronics

DIAC 28-36V 2A MINIMELF

MAX232EWE+

MAX232EWE+

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC