FDMD8430
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| Teilenummer | FDMD8430 |
| PNEDA Teilenummer | FDMD8430 |
| Beschreibung | FET ENGR DEV-NOT REL |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.014 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 18 - Apr 23 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FDMD8430 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FDMD8430 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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FDMD8430 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 28A (Ta), 95A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.12mOhm @ 28A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5035pF @ 15V |
| Leistung - max | 2.1W (Ta), 29W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-PQFN (3.3x5) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 250mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.3nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 33pF @ 5V Leistung - max 272mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1184pF @ 15V Leistung - max - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8 |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 300mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 25V Leistung - max 500mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket PG-SOT363-6 |
Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 1.11mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3570pF @ 10V Leistung - max 3.5W (Ta) Betriebstemperatur 150°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 10-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket 10-SMD |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Gen IV FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 18.5A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.75mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.3nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 940pF @ 15V Leistung - max 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket 8-Power33 (3x3) |
