FCAB21490L1
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| Teilenummer | FCAB21490L1 |
| PNEDA Teilenummer | FCAB21490L1 |
| Beschreibung | MOSFET 2 N-CHANNEL 10SMD |
| Hersteller | Panasonic Electronic Components |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 12.342 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FCAB21490L1 Ressourcen
| Marke | Panasonic Electronic Components |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FCAB21490L1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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FCAB21490L1 Technische Daten
| Hersteller | Panasonic Electronic Components |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 1.11mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 4V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3570pF @ 10V |
| Leistung - max | 3.5W (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 10-SMD, No Lead |
| Lieferantengerätepaket | 10-SMD |
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Hersteller Advanced Linear Devices Inc. Serie - FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10.6A (Ta), 43.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.2nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 733pF @ 20V Leistung - max 2.41W (Ta), 42.8W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket PowerDI5060-8 |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.2nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.15W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket 6-TSOP |
Hersteller Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3600pF @ 20V Leistung - max 50W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® 8 x 8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® 8 x 8 Dual |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15.1pF @ 3V Leistung - max 300mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket US6 |
