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FCAB21490L1

FCAB21490L1

Nur als Referenz

Teilenummer FCAB21490L1
PNEDA Teilenummer FCAB21490L1
Beschreibung MOSFET 2 N-CHANNEL 10SMD
Hersteller Panasonic Electronic Components
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Auf Lager 12.342
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FCAB21490L1 Ressourcen

Marke Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFCAB21490L1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FCAB21490L1, FCAB21490L1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 1.326,97 KB)
PDFFCAB21490L1 Datenblatt Cover
FCAB21490L1 Datenblatt Seite 2 FCAB21490L1 Datenblatt Seite 3 FCAB21490L1 Datenblatt Seite 4 FCAB21490L1 Datenblatt Seite 5 FCAB21490L1 Datenblatt Seite 6

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FCAB21490L1 Technische Daten

HerstellerPanasonic Electronic Components
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id1.4V @ 1.11mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3570pF @ 10V
Leistung - max3.5W (Ta)
Betriebstemperatur150°C
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall10-SMD, No Lead
Lieferantengerätepaket10-SMD

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Vishay Siliconix

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

95A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3600pF @ 20V

Leistung - max

50W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Advanced Linear Devices Inc.

Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

-

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.6A (Ta), 43.6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

733pF @ 20V

Leistung - max

2.41W (Ta), 42.8W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.4A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.28nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 15V

Leistung - max

2.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.2nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.15W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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