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FDMD8530

FDMD8530

Nur als Referenz

Teilenummer FDMD8530
PNEDA Teilenummer FDMD8530
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 35A
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 24.390
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FDMD8530 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDMD8530
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FDMD8530, FDMD8530 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 710,28 KB)
PDFFDMD8530 Datenblatt Cover
FDMD8530 Datenblatt Seite 2 FDMD8530 Datenblatt Seite 3 FDMD8530 Datenblatt Seite 4 FDMD8530 Datenblatt Seite 5 FDMD8530 Datenblatt Seite 6 FDMD8530 Datenblatt Seite 7 FDMD8530 Datenblatt Seite 8 FDMD8530 Datenblatt Seite 9 FDMD8530 Datenblatt Seite 10 FDMD8530 Datenblatt Seite 11

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FDMD8530 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.25mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs149nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds10395pF @ 15V
Leistung - max2.2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerWDFN
LieferantengerätepaketPower56

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Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12mA, 3mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 4.4V

Vgs (th) (Max) @ Id

420mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

250mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.3nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

33pF @ 5V

Leistung - max

272mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11.3A, 18.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.4mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1153pF @ 15V

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A, 5.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.8nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

710pF @ 10V

Leistung - max

1.5W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1020pF @ 30V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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