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ECH8661-TL-H

ECH8661-TL-H

Nur als Referenz

Teilenummer ECH8661-TL-H
PNEDA Teilenummer ECH8661-TL-H
Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A ECH8
Hersteller ON Semiconductor
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ECH8661-TL-H Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerECH8661-TL-H
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
ECH8661-TL-H, ECH8661-TL-H Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 411,75 KB)
PDFECH8661-TL-H Datenblatt Cover
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ECH8661-TL-H Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.7A, 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds710pF @ 10V
Leistung - max1.5W
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket8-ECH

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FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

53mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-SO

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Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

760pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 100A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

500nC @ 20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10200pF @ 800V

Leistung - max

1080W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 2.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

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