Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FDMQ8403

FDMQ8403

Nur als Referenz

Teilenummer FDMQ8403
PNEDA Teilenummer FDMQ8403
Beschreibung MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12-MLP
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 2.232
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 19 - Apr 24 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FDMQ8403 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDMQ8403
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FDMQ8403, FDMQ8403 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 372,54 KB)
PDFFDMQ8403 Datenblatt Cover
FDMQ8403 Datenblatt Seite 2 FDMQ8403 Datenblatt Seite 3 FDMQ8403 Datenblatt Seite 4 FDMQ8403 Datenblatt Seite 5 FDMQ8403 Datenblatt Seite 6 FDMQ8403 Datenblatt Seite 7 FDMQ8403 Datenblatt Seite 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FDMQ8403 Datasheet
  • where to find FDMQ8403
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FDMQ8403
  • FDMQ8403 PDF Datasheet
  • FDMQ8403 Stock

  • FDMQ8403 Pinout
  • Datasheet FDMQ8403
  • FDMQ8403 Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FDMQ8403 Price
  • FDMQ8403 Distributor

FDMQ8403 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieGreenBridge™ PowerTrench®
FET-Typ4 N-Channel (H-Bridge)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds215pF @ 15V
Leistung - max1.9W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall12-WDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket12-MLP (5x4.5)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

AOD606

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel, Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

404pF @ 20V

Leistung - max

1.6W, 1.7W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

Lieferantengerätepaket

TO-252-4L

IRF8915

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18.3mOhm @ 8.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

180A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

94nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

17-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS-DIL™

MCH6663-TL-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.8A, 1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

188mOhm @ 900mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

88pF @ 10V

Leistung - max

800mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

6-MCPH

FDG6320C_D87Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

220mA, 140mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 220mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9.5pF @ 10V

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88 (SC-70-6)

Kürzlich verkauft

MT41J512M8RH-093:E

MT41J512M8RH-093:E

Micron Technology Inc.

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

MAX9910EXK+T

MAX9910EXK+T

Maxim Integrated

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SC70-5

1N5618

1N5618

Semtech

DIODE GEN PURP 600V 2A AXIAL

DS5000FP-16+

DS5000FP-16+

Maxim Integrated

IC MCU 8BIT EXTRNL NVSRAM 80QFP

NIS5135MN1TXG

NIS5135MN1TXG

ON Semiconductor

IC ELECTRONIC FUSE 10DFN

STPS15H100CB-TR

STPS15H100CB-TR

STMicroelectronics

DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V DPAK

NJM2120D

NJM2120D

NJR Corporation/NJRC

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8DIP

ADA4096-2ARMZ

ADA4096-2ARMZ

Analog Devices

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8MSOP

W25Q16JVSNIQ

W25Q16JVSNIQ

Winbond Electronics

IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC

BA2904SFV-E2

BA2904SFV-E2

Rohm Semiconductor

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SSOPB

ADM3202ARNZ-REEL

ADM3202ARNZ-REEL

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC

MURS120-E3/52T

MURS120-E3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GP 200V 1A DO214AA