FDME1024NZT
Nur als Referenz
| Teilenummer | FDME1024NZT | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | FDME1024NZT | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6-MICROFET | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 775 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 26 - Mär 31 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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FDME1024NZT Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FDME1024NZT |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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FDME1024NZT Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3.8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 66mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.2nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 10V |
| Leistung - max | 600mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 6-MicroFET (1.6x1.6) |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 20V Leistung - max 2W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Microchip Technology Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Depletion Mode Drain to Source Voltage (Vdss) 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 1A, 0V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.04nC @ 1.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 25V Leistung - max - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x5) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 28A Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4507pF @ 25V Leistung - max 277W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6-P |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 2.5W Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket 6-CSP (1.77x3.54) |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1066pF @ 10V Leistung - max 1.25W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket Micro8™ |
