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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
PMBF4393,215 NXP	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 250MW SOT23 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 100 Ohms Leistung - max: 250mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)	Auf Lager1.352
PMBFJ108,215 NXP	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 250MW SOT23 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 10V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 8 Ohms Leistung - max: 250mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)	Auf Lager1
PMBFJ109,215 NXP	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 250MW SOT23 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 6V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 12 Ohms Leistung - max: 250mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)	Auf Lager1
PMBFJ110,215 NXP	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 250MW SOT23 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 18 Ohms Leistung - max: 250mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)	Auf Lager49.990
PMBFJ111,215 NXP	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 10V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)	Auf Lager48.074
PMBFJ112,215 NXP	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 5V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)	Auf Lager2
PMBFJ113,215 NXP	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 100 Ohms Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)	Auf Lager18
PMBFJ174,215 NXP	Transistoren - JFETs JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 5V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 85 Ohms Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)	Auf Lager85.079
PMBFJ175,215 NXP	Transistoren - JFETs JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 125 Ohms Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)	Auf Lager1
PMBFJ176,215 NXP	Transistoren - JFETs JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 250 Ohms Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)	Auf Lager109
PMBFJ177,215 NXP	Transistoren - JFETs JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 800mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 300 Ohms Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)	Auf Lager119.293
PMBFJ308,215 NXP	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 250MW SOT23 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms Leistung - max: 250mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)	Auf Lager13.062
PMBFJ309,215 NXP	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 250MW SOT23 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms Leistung - max: 250mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)	Auf Lager9.592
PMBFJ310,215 NXP	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 250MW SOT23 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms Leistung - max: 250mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)	Auf Lager2.058
PMBFJ620,115 NXP	Transistoren - JFETs JFET 2N-CH 25V 0.19W 6TSSOP Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms Leistung - max: 190mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: 6-TSSOP	Auf Lager12.304
PN4091 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 0.625W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 5V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.400
PN4091_D26Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 0.625W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 5V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.642
PN4092 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 0.625W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.484
PN4092_D26Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 0.625W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.688
PN4092_D27Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 0.625W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.916
PN4092_D74Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 0.625W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.582
PN4092_J18Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 0.625W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.016
PN4093 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 0.625W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 80 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.268
PN4117 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.388
PN4117A ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.896
PN4117A_D26Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.110
PN4117A_J61Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.024
PN4117_D26Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.814
PN4118 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.074
PN4119 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.526

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