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Seite 2152/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
MPF4392 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 15V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 60 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.150
MPF4392G ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 15V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 60 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.302
MPF4393 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 15V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 100 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.382
MPF4393G ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 15V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 100 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.208
MPF4393RLRPG ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 0.35W TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 15V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 100 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.568
MV2N4092 Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/431 FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms Leistung - max: 360mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18 (TO-206AA)	Auf Lager4.680
MV2N4391 Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.128
MV2N4391UB Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.528
MV2N4392 Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.696
MV2N4392UB Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.958
MV2N4393 Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.358
MV2N4393UB Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.578
MV2N4856 Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/385 FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 175mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 10V @ 500pA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): 25 Ohms Leistung - max: 360mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18 (TO-206AA)	Auf Lager8.064
MV2N4856UB Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.934
MV2N4857 Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 6V @ 500pA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): 40 Ohms Leistung - max: 360mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18 (TO-206AA)	Auf Lager8.424
MV2N4857UB Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.256
MV2N4858 Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/385 FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 0.5nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): 60 Ohms Leistung - max: 360mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18 (TO-206AA)	Auf Lager3.870
MV2N4858UB Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.248
MV2N4859 Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/385 FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 175mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 10V @ 500pA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): 25 Ohms Leistung - max: 360mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18 (TO-206AA)	Auf Lager4.788
MV2N4859UB Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.074
MV2N4860 Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/385 FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 6V @ 500pA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): 40 Ohms Leistung - max: 360mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager5.616
MV2N4860UB Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.832
MV2N4861 Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/385 FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 0.5nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): 60 Ohms Leistung - max: 360mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18 (TO-206AA)	Auf Lager7.758
MV2N5114 Microsemi	Transistoren - JFETs P CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500 FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 90mA @ 18V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 10V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): 75 Ohms Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18 (TO-206AA)	Auf Lager8.964
MV2N5116 Microsemi	Transistoren - JFETs P CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500 FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 6V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): 100 Ohms Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18 (TO-206AA)	Auf Lager4.014
MX2N4391 Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.750
MX2N4391UB Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.214
MX2N4392 Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.004
MX2N4392UB Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.580
MX2N4393 Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.852

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