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Seite 2151/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
MMBF5460 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET P-CH 40V 0.225W SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 750mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager46.111
MMBF5460LT1 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET P-CH 40V 0.225W SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 750mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager106.732
MMBF5460LT1G ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET P-CH 40V 0.225W SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 750mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager462
MMBF5461 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET P-CH 40V 0.225W SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager11.603
MMBF5462 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET P-CH 40V 0.225W SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1.8V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager2
MMBF5484LT1 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 0.225W SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 300mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager4.464
MMBF5484LT1G ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 0.225W SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 300mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager13.212
MMBFJ108 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 350MW SSOT3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 8 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SuperSOT-3	Auf Lager1
MMBFJ110 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 0.46W 3-SSOT Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 18 Ohms Leistung - max: 460mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SuperSOT-3	Auf Lager2
MMBFJ111 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 35V 350MW SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager30.244
MMBFJ112 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 35V 0.35W SOT-23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager238.802
MMBFJ113 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 35V 350MW SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 100 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager114.534
MMBFJ175 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 125 Ohms Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager17.531
MMBFJ175LT1 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 125 Ohms Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager2.970
MMBFJ175LT1G ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 125 Ohms Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager222.756
MMBFJ175LT3G ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 125 Ohms Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)	Auf Lager4.482
MMBFJ176 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 250 Ohms Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager50.257
MMBFJ177 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 800mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 300 Ohms Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager61.910
MMBFJ177_G ON Semiconductor	Transistoren - JFETs INTEGRATED CIRCUIT Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 800mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager5.508
MMBFJ177LT1 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 800mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 300 Ohms Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager6.552
MMBFJ177LT1G ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 800mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 300 Ohms Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager45.073
MMBFJ201 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 350MW SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 300mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager130.169
MMBFJ201_G ON Semiconductor	Transistoren - JFETs INTEGRATED CIRCUIT Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 300mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager2.268
MMBFJ202 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 350MW SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 900µA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 800mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager2.470
MMBFJ203 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 350MW SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager7.110
MMBFJ270 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager107.290
MMBFJ271 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1.5V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager5.818
MMBFJ305 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager6.242
MMBFU310LT1 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 0.225W SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2.5V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager921
MMBFU310LT1G ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 0.225W SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2.5V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager8.303

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