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MMBFJ305

MMBFJ305

Nur als Referenz

Teilenummer MMBFJ305
PNEDA Teilenummer MMBFJ305
Beschreibung JFET N-CH 30V 0.225W SOT23
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $1,7748
250 ---------- $1,6917
500 ---------- $1,6085
1.000 ---------- $1,5253
2.500 ---------- $1,4559
5.000 ---------- $1,3866
Auf Lager 6.242
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MMBFJ305 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMBFJ305
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
MMBFJ305, MMBFJ305 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 238,11 KB)
PDFMMBFJ305 Datenblatt Cover
MMBFJ305 Datenblatt Seite 2 MMBFJ305 Datenblatt Seite 3 MMBFJ305 Datenblatt Seite 4 MMBFJ305 Datenblatt Seite 5

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MMBFJ305 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)30V
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)8mA @ 15V
Stromaufnahme (Id) - max-
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id500mV @ 1nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Widerstand - RDS (Ein)-
Leistung - max225mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23

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Hersteller

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Serie

*

FET-Typ

-

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

50V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

300µA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

6.5mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

400mV @ 100nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8.2pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

100mW

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

S-Mini

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

3.3µA @ 1200V

Stromaufnahme (Id) - max

35A

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 19.5V (VGS)

Widerstand - RDS (Ein)

70 mOhms

Leistung - max

238W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

2SK771-5-TB-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

20mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

200mW

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

3-CP

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

900µA @ 20V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

800mV @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

625mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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