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MMBFJ111

MMBFJ111

Nur als Referenz

Teilenummer MMBFJ111
PNEDA Teilenummer MMBFJ111
Beschreibung JFET N-CH 35V 350MW SOT23
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $0,9112
500 ---------- $0,8685
1.000 ---------- $0,8258
2.500 ---------- $0,7831
5.000 ---------- $0,7475
10.000 ---------- $0,7119
Auf Lager 30.244
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MMBFJ111 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMBFJ111
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
MMBFJ111, MMBFJ111 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 414,38 KB)
PDFMMBFJ111 Datenblatt Cover
MMBFJ111 Datenblatt Seite 2 MMBFJ111 Datenblatt Seite 3 MMBFJ111 Datenblatt Seite 4 MMBFJ111 Datenblatt Seite 5 MMBFJ111 Datenblatt Seite 6 MMBFJ111 Datenblatt Seite 7 MMBFJ111 Datenblatt Seite 8 MMBFJ111 Datenblatt Seite 9 MMBFJ111 Datenblatt Seite 10

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MMBFJ111 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)35V
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)20mA @ 15V
Stromaufnahme (Id) - max-
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id3V @ 1µA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Widerstand - RDS (Ein)30 Ohms
Leistung - max350mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23-3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

500mV @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10pF @ 15V (VGS)

Widerstand - RDS (Ein)

100 Ohms

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

600µA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

20mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1.5V @ 10µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

300 Ohms

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

20V

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

300mA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

8V @ 10µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

32pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

360mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92

2SK880GRTE85LF

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

50V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2.6mA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1.5V @ 100nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

100mW

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

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SC-70

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Hersteller

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Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1V @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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