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Seite 2150/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
KSK596PAWD ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Lieferantengerätepaket: TO-92S	Auf Lager7.290
KSK596PBWD ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Lieferantengerätepaket: TO-92S	Auf Lager2.484
KSK596PCWD ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Lieferantengerätepaket: TO-92S	Auf Lager8.586
MCH3914-7-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 50MA 300MW MCPH3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 15V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 16mA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 50mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 10µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4.9pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: SC-70FL/MCPH3	Auf Lager5.166
MCH3914-8-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 50MA 300MW MCPH3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 50mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 10µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4.9pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: 3-MCPH	Auf Lager6.552
MCH5908G-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET 2N-CH 0.3W MCPH5 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 50mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 300mV @ 100µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 5-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 5-MCPH	Auf Lager4.068
MCH5908H-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET 2N-CH 0.3W MCPH5 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 16mA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 50mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 300mV @ 100µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 5-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 5-MCPH	Auf Lager7.668
MMBF4091 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 350MW SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 5V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager1.321
MMBF4092 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 350MW SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager2.070
MMBF4093 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 350MW SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 80 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager7.747
MMBF4117 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 0.225W SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager14.531
MMBF4118 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 0.225W SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager84.204
MMBF4119 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 0.225W SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager3.033
MMBF4391 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 350MW SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager3.278
MMBF4391LT1 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager866
MMBF4391LT1G ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager90.188
MMBF4392 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 0.35W SOT-23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 60 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager3.065
MMBF4392LT1 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): 60 Ohms Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager1.504
MMBF4392LT1G ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): 60 Ohms Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager510.450
MMBF4393 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 350MW SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 100 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager143.137
MMBF4393LT1 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): 100 Ohms Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager129
MMBF4393LT1G ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): 100 Ohms Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager1.194.667
MMBF4393LT3G ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): 100 Ohms Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager45.156
MMBF5103 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 0.35W SOT-23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1.2V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager23.250
MMBF5434 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 0.35W SUPERSOT-23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 3nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SuperSOT-3	Auf Lager1.327
MMBF5457 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 350MW SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Angebot anfordern
MMBF5457LT1 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 0.225W SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager1
MMBF5457LT1G ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 0.225W SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager2
MMBF5458 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 350MW SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager68.025
MMBF5459 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 350MW SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager8.752

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