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MMBF5457LT1

MMBF5457LT1

Nur als Referenz

Teilenummer MMBF5457LT1
PNEDA Teilenummer MMBF5457LT1
Beschreibung JFET N-CH 25V 0.225W SOT23
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $1,6093
250 ---------- $1,5339
500 ---------- $1,4585
1.000 ---------- $1,3830
2.500 ---------- $1,3202
5.000 ---------- $1,2573
Auf Lager 1
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MMBF5457LT1 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMBF5457LT1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
MMBF5457LT1, MMBF5457LT1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 55,86 KB)
PDFMMBF5457LT1G Datenblatt Cover
MMBF5457LT1G Datenblatt Seite 2 MMBF5457LT1G Datenblatt Seite 3 MMBF5457LT1G Datenblatt Seite 4 MMBF5457LT1G Datenblatt Seite 5 MMBF5457LT1G Datenblatt Seite 6

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MMBF5457LT1 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)25V
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)1mA @ 15V
Stromaufnahme (Id) - max-
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id500mV @ 10nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds7pF @ 15V
Widerstand - RDS (Ein)-
Leistung - max225mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23-3 (TO-236)

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.2mA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

10mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

180mV @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

200 Ohms

Leistung - max

100mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-XFDFN

Lieferantengerätepaket

3-ECSP1006

2N5458

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

25V

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1V @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

310mW

Betriebstemperatur

135°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

2SK34260TL

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

107µA @ 2V

Stromaufnahme (Id) - max

2mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

100mW

Betriebstemperatur

-20°C ~ 80°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-723

Lieferantengerätepaket

SSSMini3-F1

2SK715V-AC

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

15V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

10mA @ 5V

Stromaufnahme (Id) - max

50mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

600mV @ 100µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10pF @ 5V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

SC-72

Lieferantengerätepaket

3-SPA

2N4858JTX02

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

-

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

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