MMBF4393LT3G
Nur als Referenz
| Teilenummer | MMBF4393LT3G | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | MMBF4393LT3G | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 45.156 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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MMBF4393LT3G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MMBF4393LT3G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
| Datenblatt |
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MMBF4393LT3G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | 30V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 5mA @ 15V |
| Stromaufnahme (Id) - max | - |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 500mV @ 10nA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 14pF @ 15V |
| Widerstand - RDS (Ein) | 100 Ohms |
| Leistung - max | 225mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 (TO-236) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 25V Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 500mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 225mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500 FET-Typ P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 30V Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 25mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 4V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 27pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein) 175 Ohms Leistung - max 500mW Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-18 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 210µA @ 2V Stromaufnahme (Id) - max 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 100mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3.1pF @ 2V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 30mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket 3-USFP |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 2.5V @ 0.5nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 225mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/385 FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 40V Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 175mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 10V @ 500pA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 18pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) 25 Ohms Leistung - max 360mW Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-18 (TO-206AA) |
