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MMBF4392LT1G

MMBF4392LT1G

Nur als Referenz

Teilenummer MMBF4392LT1G
PNEDA Teilenummer MMBF4392LT1G
Beschreibung JFET N-CH 30V 0.225W SOT23
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $0,6604
500 ---------- $0,6294
1.000 ---------- $0,5984
2.500 ---------- $0,5675
5.000 ---------- $0,5417
10.000 ---------- $0,5159
Auf Lager 510.450
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MMBF4392LT1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMBF4392LT1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
MMBF4392LT1G, MMBF4392LT1G Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 234,33 KB)
PDFSMMBF4391LT1G Datenblatt Cover
SMMBF4391LT1G Datenblatt Seite 2 SMMBF4391LT1G Datenblatt Seite 3 SMMBF4391LT1G Datenblatt Seite 4 SMMBF4391LT1G Datenblatt Seite 5 SMMBF4391LT1G Datenblatt Seite 6 SMMBF4391LT1G Datenblatt Seite 7

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MMBF4392LT1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)30V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)25mA @ 15V
Stromaufnahme (Id) - max-
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id2V @ 10nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds14pF @ 15V
Widerstand - RDS (Ein)60 Ohms
Leistung - max225mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23-3 (TO-236)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50µA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

1mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

2.3V @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1.7pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

100mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-75, SOT-416

Lieferantengerätepaket

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

*

FET-Typ

-

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

KSK30YTA

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

50V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.2mA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

400mV @ 100nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8.2pF @ 0V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

100mW

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

2N4861JTXL02

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

-

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-206AA (TO-18)

J174_D27Z

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

20mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

5V @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

85 Ohms

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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